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本发明揭示了一种半导体晶片表面清洗方法。提供用于去除晶片表面上的污染物的第一清洗溶液到晶片表面。去除晶片表面上的所述第一清洗溶液和一些污染物。接下来，提供氧化剂溶液到晶片表面。氧化剂溶液在残留污染物材料上形成氧化层。氧化剂溶液再从晶片表面去...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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