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在通过相对栅极长度方向呈水平地形成多个沟槽来增大每单位面积的栅极宽度的高驱动能力横型ＭＯＳ中，为了在不增加元件面积的情况下进一步改善驱动能力，而作出一种半导体装置，其中包括：高电阻第一导电型半导体的阱区，在离半导体衬底表面一定的深度设置；多...
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