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本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：硅衬底；形成于硅衬底上的缓冲层；依次形成于缓冲层上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，所述缓冲层的材料为ＳｉＣ或ＩｎＮ。所述ＳｉＣ或ＩｎＮ的晶格常数介于硅衬底和形...
该专利属于西安神光安瑞光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安神光安瑞光电科技有限公司授权不得商用。

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