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本发明提供一种能够抑制由处理基板的充电所引起的异常放电的发生，能够对大面积的处理基板形成良好薄膜的溅射方法。向在溅射室（１２）内与处理基板（Ｓ）相对并且以规定间隔并列设置的多片靶（４１ａ）至（４１ｈ）中各成对的靶施加电力，并按照规定的频率交...该专利属于株式会社爱发科;夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社爱发科;夏普株式会社授权不得商用。
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本发明提供一种能够抑制由处理基板的充电所引起的异常放电的发生，能够对大面积的处理基板形成良好薄膜的溅射方法。向在溅射室（１２）内与处理基板（Ｓ）相对并且以规定间隔并列设置的多片靶（４１ａ）至（４１ｈ）中各成对的靶施加电力，并按照规定的频率交...