温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供Ｓｒ－Ｔｉ－Ｏ系膜的成膜方法，以膜中的Ｓｒ与Ｔｉ的比率Ｓｒ／Ｔｉ按原子数比计为１．２～３的方式进行成膜后，在含有０．００１％～８０％的Ｏ２的气氛中，在５００℃以上进行退火。此外，以包含将多个ＳｒＯ膜成膜阶段和多个ＴｉＯ膜成膜阶段多...该专利属于东京毅力科创株式会社;尔必达存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社;尔必达存储器株式会社授权不得商用。