下载为了改善制法边界的双曝光半导体制法的技术资料

文档序号:5378216

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本发明提供一种为了改善小特征图案尺寸处的制法边界的双曝光半导体制法。在一第一处理序列期间,会形成用以定义一多晶硅互连结构的非关键维度的特征图案,而该多晶硅层的其它部分则保持不被处理。在一第二处理序列期间,会形成用以定义该多晶硅互连结构的关键...
该专利属于吉林克斯公司所有,仅供学习研究参考,未经过吉林克斯公司授权不得商用。

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