专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
吉林克斯公司
>
为了改善制法边界的双曝光半导体制法制造技术
>技术资料下载
下载为了改善制法边界的双曝光半导体制法的技术资料
文档序号:5378216
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种为了改善小特征图案尺寸处的制法边界的双曝光半导体制法。在一第一处理序列期间,会形成用以定义一多晶硅互连结构的非关键维度的特征图案,而该多晶硅层的其它部分则保持不被处理。在一第二处理序列期间,会形成用以定义该多晶硅互连结构的关键...
该专利属于吉林克斯公司所有,仅供学习研究参考,未经过吉林克斯公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。