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本发明呈现用于电压容限浮动Ｎ阱电路的方法及设备。本发明呈现一种用于减少由输入电压引起的泄漏电流的设备，所述设备包括第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合到正电压供应的源极及耦合到浮动节点的漏极。所述设备可进一步包括耦合到负电压供应及所述第一晶体...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

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