电压容限浮动N阱电路制造技术

技术编号:5370078 阅读:583 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术呈现用于电压容限浮动N阱电路的方法及设备。本发明专利技术呈现一种用于减少由输入电压引起的泄漏电流的设备,所述设备包括第一晶体管,所述第一晶体管具有耦合到正电压供应的源极及耦合到浮动节点的漏极。所述设备可进一步包括耦合到负电压供应及所述第一晶体管的可控制下拉路径,其中所述可控制下拉路径经配置以在第一状态期间接通所述第一晶体管并上拉所述浮动节点。所述设备可进一步包括第二晶体管,所述第二晶体管具有耦合到所述第一晶体管的栅极的源极及耦合到所述浮动节点的漏极,其中所述第二晶体管经配置以在第二状态期间将所述浮动节点置于浮动电位下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大体涉及接口电路,且更明确地说,涉及能够接受具有比接口电路的电压供应的电压电平高的电压的输入信号的输入/输出接口电路。
技术介绍
特定装置内的输入/输出(I/O)电路可充当所述装置的内部电路与属于其它装 置的外部电路之间的电接口。 1/0电路可用以在内部电路与外部电路之间交换(发射及/或接收)电压信号。此类i/o电路还可用以在内部电路与外部电路之间提供电隔离,且当内部电路在与外部电路不同的电压下操作时可尤其有用。举例来说,内部电路可包括在较 低电压下起作用的集成电路核心,且外部电路可为可在较高电压下起作用的外围装置的部 分。在此情形下,I/O电路可用以保护电路核心不受由外围装置产生的较高电压影响。 I/O电路可使用正电压供应及负电压供应操作。 一般来说,这些供应可表示在1/ O电路自身内产生的最正及最负电压。在一些情形下,负供应可仅处于接地电位下(即,可 将负供应表示为零伏)。 当在瑜出模式下时,I/0电路可正将瑜出信号提供到外部电路。输出信号的电压值 可受到由I/O电路的电压供应产生的电压的约束。在输入模式期间,I/O电路正从外部电路 接收输入信号。对于常规本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于减少由输入电压引起的泄漏电流的设备,其包含:第一晶体管,其具有耦合到正电压供应的源极及耦合到浮动节点的漏极;可控制下拉路径,其耦合到负电压供应及所述第一晶体管,其中所述可控制下拉路径经配置以在第一状态期间接通所述第一晶体管并上拉所述浮动节点;以及第二晶体管,其具有耦合到所述第一晶体管的栅极的源极及耦合到所述浮动节点的漏极,其中所述第二晶体管经配置以在第二状态期间将所述浮动节点置于浮动电位下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:阿布希克古普塔瓦伊什纳芙斯里尼瓦斯维韦克莫汉
申请(专利权)人:高通股份有限公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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