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本发明涉及一种单端低摆幅读位线电路，该电路包括：至少１个内核单元、第一ＰＭＯＳ晶体管（Ｐ１）和敏感放大器；所述第一ＰＭＯＳ晶体管（Ｐ１）的栅极连接控制信号（ＰＲＥ），在ＰＲＥ有效地时间内，对位线信号（ＢＬ）进行预充电，充电结束后字线信号有效...
该专利属于中国科学院声学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院声学研究所授权不得商用。

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