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本发明涉及一种ＧａＮ增强型ＭＩＳＦＥＴ器件及其制备方法，器件包括衬底及设于衬底的外延层，其中，外延层由下往上依次包括应力缓冲层及ＧａＮ层，ＧａＮ层上选择生长有异质层，未生长有异质层的ＧａＮ层表面及异质层表面上形成有绝缘介质层，且在ＧａＮ层表...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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