【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其涉及一种在高温大功 率开关器件及微波器件中的。
技术介绍
以GaN为代表的宽禁带半导体材料，以宽禁带、高击穿电场强度、高热导率、高饱 和电子漂移速度、异质界面二维电子气浓度高等优异的材料性能；成为目前第三代半导体 研究热点。这些特性使得GaN在制作大功率电子器件方面具有很大的优势和应用前景。增强(常关)型HEMT的研究对于GaN电子器件的实用化有重要的意义。增强型器 件栅极不需要负电压供电就可以实现沟道的关闭，满足一般功率开关电路对器件安全性设 计的要求。微波功率放大电路中，增强型器件的应用可以实现单极供电电源，简化驱动电路 的设计；改善信号失真以及实现与现有系统的良好兼容。但是由于AKiaN/GaN异质结有强的极化效应，易形成浓度高达到IO13CnT2面密 度的二维电子气(2DEG)，在栅极不加任何偏压时，就具有高的电子面密度和电子迁移率的 2DEG，使得MGaN/GaN HEMT器件自然形成耗尽型场效应晶体管；而增强型器件需要栅极不 加电压时，实现栅极下导电沟道载流子的耗尽。AWaN/GaN HEMT实现增强型的困难就在于， 不加栅极...
【技术保护点】
一种ＧａＮ增强型ＭＩＳＦＥＴ器件，包括衬底（１）及设于衬底（１）的外延层，其特征在于，外延层由下往上依次包括应力缓冲层（２）及ＧａＮ层（３），ＧａＮ层（３）上选择生长有异质层（６），未生长有异质层（６）的ＧａＮ层（３）表面及异质层（６）表面上形成有绝缘介质层（８），且在ＧａＮ层（３）表面形成的绝缘介质层（８）上设有栅极区域，在异质层（６）表面上通过刻蚀绝缘介质层（８）形成源极区域及漏极区域，栅极区域形成有栅极金属（１０），该源、漏极区域上形成有欧姆接触金属（９）。
【技术特征摘要】
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