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本发明涉及形成介电膜的方法、新型前体及其在半导体制造中的用途。在一个方面，本发明涉及在基底上沉积含至少一种金属的介电膜的方法，该介电膜包含式（Ｉ）的化合物：（Ｚｒ１－ａ?Ｍ２ａ）ＯｂＮｃ???（Ｉ），其中０≤ａ＜１，０＜ｂ≤３，０≤ｃ≤１；...该专利属于乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司授权不得商用。
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本发明涉及形成介电膜的方法、新型前体及其在半导体制造中的用途。在一个方面，本发明涉及在基底上沉积含至少一种金属的介电膜的方法，该介电膜包含式（Ｉ）的化合物：（Ｚｒ１－ａ?Ｍ２ａ）ＯｂＮｃ???（Ｉ），其中０≤ａ＜１，０＜ｂ≤３，０≤ｃ≤１；...