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本发明提供一种改进型ＭＯＳ功率晶体管。一种分离式栅极功率晶体管，其包括横向配置的功率ＭＯＳＦＥＴ，所述功率ＭＯＳＦＥＴ包括经掺杂的硅衬底、形成于所述衬底的表面上的栅极氧化物层以及形成于所述栅极氧化物层之上的分离式多晶硅层。所述多晶硅层被分成...
该专利属于马克西姆综合产品公司所有，仅供学习研究参考，未经过马克西姆综合产品公司授权不得商用。

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