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提供一种适合于锂离子二次电池等的，高容量且充放电循环特性优异、不可逆容量的发生少的二次电池用负极。设置在负极集电体上的负极活性物质层中的硅具有局部有序性的程度低的非晶结构。在设因横波光学声子产生的散射而出现在偏移位置４８０ｃｍ－１附近上的散...
该专利属于索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过索尼株式会社授权不得商用。

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