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一种纳流体晶体管的制备方法，包括：在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边，形成制备侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和电热绝缘材...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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