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一种电子束正性光刻胶Ｚｅｐ　５２０掩蔽介质刻蚀的方法，在介质瞙上沉积一层α－Ｓｉ薄膜，然后将电子束直写光刻技术得到的高分辨率Ｚｅｐ　５２０胶图形作为掩瞙，用氯（Ｃｌ）基等离子刻蚀α－Ｓｉ，将高分辨率Ｚｅｐ　５２０胶图形转移到其下层的α－Ｓｉ...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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