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一种用于非易失性存储器的写入方法，其中该非易失性存储器为一多层存储单元与非闪速存储器，并且该非易失性存储器的区块中分别包括一上页与一下页，该写入方法包括：在部分的所述区块中仅使用下页来写入数据，其中所述下页的写入速度快于所述上页的写入速度。...
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