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一种射频放大器电路包括能够承受基板偏压的基板。晶体管的源极能够承受源极偏压。晶体管的漏极能够承受漏极偏压。晶体管的栅极位于源极和漏极之间。射频输入信号耦合至栅极。基板偏置电路提供基板偏压。基板偏压和源极偏压正向偏置由源极和基板形成的第一二极...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种射频放大器电路包括能够承受基板偏压的基板。晶体管的源极能够承受源极偏压。晶体管的漏极能够承受漏极偏压。晶体管的栅极位于源极和漏极之间。射频输入信号耦合至栅极。基板偏置电路提供基板偏压。基板偏压和源极偏压正向偏置由源极和基板形成的第一二极...