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一种ＡＺＯ减反射膜制备方法，其特征在于采用射频磁控溅射设备，并在溅射气氛中加入还原性气体，明显改善ＡＺＯ减反膜的电学及光学参数。本发明所制备的ＡＺＯ减反射膜在面积为２片ｘ１２５ｍｍｘ１２５ｍｍ的基片面积上，可见光范围内平均透过率达９０％以上...
该专利属于中国科学院电工研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院电工研究所授权不得商用。

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