一种ＡＺＯ减反射膜制备方法技术

一种ＡＺＯ减反射膜制备方法，其特征在于采用射频磁控溅射设备，并在溅射气氛中加入还原性气体，明显改善ＡＺＯ减反膜的电学及光学参数。本发明专利技术所制备的ＡＺＯ减反射膜在面积为２片ｘ１２５ｍｍｘ１２５ｍｍ的基片面积上，可见光范围内平均透过率达９０％以上，电阻率达４．４ｘ１０－４Ω.ｃｍ。本发明专利技术适用于太阳能电池顶层减反膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池用减反射膜的制备方法，特别涉及AZO减反射膜的制 备方法。
技术介绍
随着能源结构的改变，可再生能源的开发利用受到重视。太阳能电池是可再生能 源中不可缺少的一部分。硅基薄膜太阳能电池是太阳能电池中的第二代太阳能电池，适合 于大面积制造、大规模生产及建筑一体化应用。AZO减反射膜可用于硅基薄膜电池中新型双 结叠层非晶硅/微晶硅电池顶层减反膜，使用AZO减反射膜可提高电池效率及稳定性。很多 机构都在对其技术进行研发，力求为硅薄膜太阳能电池最终效率的提高提供更多的帮助。中国专利CNlO 1188149B “一种Ge掺杂的AZO透明导电膜及其制备方法”提出了 一种Ge掺杂的AZO透明导电膜及其制备方法，该透明导电膜是采用射频磁控溅射共沉积 制备在玻璃基片上的。Ge掺杂的AZO透明导电膜由0. 5 2. 5衬％的Ge、l. 05衬％的Al、 86. 3wt%的Si和余量0组成。如图6所示，该方法制备的透明导电膜Ge掺杂1.2#t%、 厚度为750nm时，其室温下最低电阻率为7 8Χ10_4Ω ^m ；如图7所示，该方法制备的透 明导电膜Ge掺杂1. %、厚度为75本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＡＺＯ减反射膜制备方法，其特征在于所述制备方法的工艺步骤顺序如下：（１）准备基片：选用厚度小于５ｍｍ的玻璃基片，首先用去离子水浸湿基片，在玻璃基片上喷中性洗涤剂，用毛刷刷洗玻璃基片的上表面和下表面；再用去离子水将中性洗涤剂冲洗干净，直至直视可观察到玻璃基片上表面和下表面“亲水”；然后将玻璃基片放入盛有去离子水的非金属容器中的玻璃基片支架上，去离子水液面高于非金属容器中玻璃基片位置；将非金属容器放在电炉上加热，直至去离子水沸腾，保持沸腾状态５分钟，然后将非金属容器从电炉上取下，倒掉去离子水，在非金属容器中注入新的去离子水，再加热至沸腾并保持５分钟，倒掉去离子水；再次注入去离子水、加热至沸腾、...

【技术特征摘要】
1.一种AZO减反射膜制备方法，其特征在于所述制备方法的工艺步骤顺序如下(1)准备基片选用厚度小于5mm的玻璃基片，首先用去离子水浸湿基片，在玻璃基片 上喷中性洗涤剂，用毛刷刷洗玻璃基片的上表面和下表面；再用去离子水将中性洗涤剂冲 洗干净，直至直视可观察到玻璃基片上表面和下表面“亲水”;然后将玻璃基片放入盛有去 离子水的非金属容器中的玻璃基片支架上，去离子水液面高于非金属容器中玻璃基片位 置；将非金属容器放在电炉上加热，直至去离子水沸腾，保持沸腾状态5分钟，然后将非金 属容器从电炉上取下，倒掉去离子水，在非金属容器中注入新的去离子水，再加热至沸腾并 保持5分钟，倒掉去离子水；再次注入去离子水、加热至沸腾、保持沸腾5分钟，倒掉离子水， 此过程共循环5次；最后一次不必倒掉沸腾的去离子水，从热去离子水中将玻璃基片取出， 用氮气吹干备用；(2)将清洗干净的所述的玻璃基片装入射频磁控溅射设备，并对射频磁控溅射设备抽 真空；待真空度达到IxlO-4Pa时，打开射频磁控溅射设备的加热器对所述的玻璃基片加热， 加热温度范围为室温 300°C ；(3)将调整好比例的氩气和氢气混...

【专利技术属性】
技术研发人员：刁宏伟，鲁伟明，王文静，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]