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本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的氧化处理工艺，包括如下步骤：（１）升温干氧预氧化：将硅片推入氧化管中，升温至８５０～９００℃，通入干氧，进行氧化反应，在硅片表面生成一层二氧化硅层；反应时间为１００～６００ｓ；（２）高温掺氯氧化：继续通入干...该专利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司授权不得商用。