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本发明提供一种半导体器件，包含：柱状构造体，配置于衬底上，由ｐ型硅（１０２）、ｎ型硅（１０４）、及配置于ｐ型硅与ｎ型硅之间且相对于衬底朝垂直方向延伸的氧化物（１１６）所构成；配置于ｐ型硅的上下的高浓度ｎ型硅层（１３４、１２２）；配置于ｎ型硅...该专利属于日本优尼山帝斯电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本优尼山帝斯电子株式会社授权不得商用。
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本发明提供一种半导体器件，包含：柱状构造体，配置于衬底上，由ｐ型硅（１０２）、ｎ型硅（１０４）、及配置于ｐ型硅与ｎ型硅之间且相对于衬底朝垂直方向延伸的氧化物（１１６）所构成；配置于ｐ型硅的上下的高浓度ｎ型硅层（１３４、１２２）；配置于ｎ型硅...