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本发明是对集成ＥＳＤ保护的功率ＭＯＳＦＥＴ或ＩＧＢＴ改进，其特征是ＥＳＤ保护单元的多晶二极管组中各Ｐ型区浓度与功率ＭＯＳＦＥＴ或ＩＧＢＴ的Ｐ阱浓度相同，各Ｎ型区浓度与功率ＭＯＳＦＥＴ或ＩＧＢＴ的Ｎ＋源相同；多晶二极管组在栅极压焊区与元胞区间...
该专利属于江苏东光微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏东光微电子股份有限公司授权不得商用。

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