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ＭＯＳＦＥＴ　１，其包括ｎ＋ＳｉＣ衬底（１１）、在ｎ＋ＳｉＣ衬底（１１）上形成的ｎ－ＳｉＣ层（１２）以及布置成与ｎ－ＳｉＣ层（１２）接触的源电极（２２），该ＭＯＳＦＥＴ代表一半导体器件，该半导体器件通过包括能够在充分抑制接触电阻的情况下与ｐ...
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