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本发明提供ＩＩＩ族氮化物半导体光元件、外延衬底及ＩＩＩ族氮化物半导体发光元件的制作方法。ＩＩＩ族氮化物半导体光元件（１１ａ）中，衬底（１３）的主面（１３ａ）从与沿该第一ＩＩＩ族氮化物半导体的ｃ轴延伸的基准轴Ｃｘ正交的面，以６３度以上且小于８...
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