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本发明涉及一种用于在底材（５）上形成底层的方法，所述底层能够使金属层随后沉积，所述方法包括在包含来自乙氧基硅烷类或硅氧烷类和铜脒化物或镍脒化物的材料的浴液（７）中浸入底材。...
该专利属于意法半导体（图尔）公司;国家科学研究中心所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体（图尔）公司;国家科学研究中心授权不得商用。

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