下载具有静电放电保护单元的辐射发射型半导体芯片及其制造方法的技术资料

文档序号:5048306

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本发明涉及一种辐射发射型半导体芯片(1),具有载体(5)和带有半导体层组的半导体本体(2)。半导体层组具有用于产生辐射的有源区(20)、第一半导体层(21)和第二半导体层(22)。有源区(20)配置于第一半导体层(21)与第二半导体层(22...
该专利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司授权不得商用。

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