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本发明提供了双向晶闸管以及静电保护电路，其中双向晶闸管包括：Ｐ型半导体衬底；形成于半导体衬底内的第一Ｎ阱、Ｐ阱以及第二Ｎ阱；所述Ｐ阱分别与第一Ｎ阱以及第二Ｎ阱相邻；形成于第一Ｎ阱表面区域且相隔离的第一Ｎ＋型注入区以及第一ＰＭＯＳ晶体管；形成...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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