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一种硅通孔互连结构形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层表面形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层直至暴露出衬底；以刻蚀后的硬掩膜层为掩膜，采用第一刻蚀设备刻蚀第一厚度的所述衬底；以刻蚀后的硬...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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