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本发明公开了一种沟槽的形成方法，预先根据刻蚀气体流量和刻蚀速率建立各刻蚀气体流量下的刻蚀速率在晶片上分布的非线性函数模型，包括步骤：提供晶片，在晶片上具有层间介质层；测试晶片上从边缘区域到中央区域的所述层间介质层的厚度变化曲线；根据所述厚度...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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