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本发明提供了一种应力作用的半导体器件及其制造方法，其中，所述制造方法包括：提供半导体器件；在半导体器件的表面形成第一应变层；在所述第一应变层的表面形成第二应变层．．．．．．在第ｎ应变层的表面形成第ｎ＋１应变层；所述各应变层的应力类型相同。与...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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