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本发明提供一种半导体基板，其提高化合物半导体装置的转换速度。并具有：硅基板；形成在所述硅基板上，并具有抵达所述硅基板且纵横比为／３以上的开口部的绝缘膜；形成于所述开口部，且形成为比所述绝缘膜的表面更凸出的晶种化合物半导体结晶：以及以所述晶种...
该专利属于住友化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友化学株式会社授权不得商用。

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