【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体基板、半导体基板的制造方法及电子装置。本专利技术特别涉 及使用廉价的硅基板，在绝缘膜上形成结晶性优良的化合物半导体结晶薄膜的半导体基 板、半导体基板的制造方法及电子装置。
技术介绍
在使用了 GaAs系等的化合物半导体结晶的电子装置中，利用异质结开发各种高 功能电子装置。在高功能电子装置中，由于电子装置中所含的化合物半导体结晶的结晶性 的优劣会影响电子装置的性能，因而需要优质的化合物半导体结晶。在以制造使用GaAs系 的化合物半导体结晶的电子装置为目的的薄膜结晶生长中，由于异质界面的晶格匹配等的 要求，选择GaAs或与GaAs的晶格常数极为接近的Ge等作为基板。因此，在专利文献1中，记载有一种具有生长在失配基板或高位错缺陷密度基板 上的外延区域的限定区域的半导体装置。日本特开平4-233720号公报
技术实现思路
当制造GaAs系的电子装置时，考虑到晶格匹配，而选择如前所述GaAs基板或Ge 基板等的可与GaAs晶格匹配的基板。然而，GaAs基板或Ge基板等的与GaAs晶格匹配的 基板的价格昂贵，导致装置的成本上升。此外，这些基板的散热特性不...
【技术保护点】
一种半导体基板，具有：硅基板；绝缘膜，是形成在所述硅基板上的绝缘膜，并具有抵达所述硅基板且纵横比为√３／３以上的开口部；晶种化合物半导体结晶，是形成在所述开口部的化合物半导体结晶，且形成为比所述绝缘膜的表面更凸出；以及横向生长化合物半导体层，以所述晶种化合物半导体结晶的特定面为晶种面，在所述绝缘膜上进行横向生长而成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦雅彦，高田朋幸，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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