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一种光刻胶的形成方法，包括：提供形成有底部抗反射层的衬底；去除所述底部抗反射层内的偏碱性分子；在去除偏碱性的分子的底部抗反射层表面形成光刻胶层。本发明降低形成在光刻层的缺陷，提高了后续形成光刻胶图形的良率。...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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