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本发明提供一种环绕栅极晶体管的制造方法，用以获得源极、漏极、栅极的低电阻化的构造、及所希望的栅极长度、源极、漏极形状与柱状半导体的直径。该半导体器件的制造方法，包含：形成柱状第１导电型半导体层的步骤；在柱状第１导电型半导体层的下部形成第２导...
该专利属于日本优尼山帝斯电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本优尼山帝斯电子株式会社授权不得商用。

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