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本发明的半导体器件的制造方法含有下列步骤：于平面状半体层上形成柱状的第１导电型半导体层的步骤；于平面状半导体层形成第１个第２导电型半导体层的步骤；于第１导电型半导体层的周围形成栅极绝缘膜及由金属所构成的栅极电极的步骤；于栅极上部且第１导电型...
该专利属于日本优尼山帝斯电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本优尼山帝斯电子株式会社授权不得商用。

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