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一种处理沟槽及形成ＵＭＯＳ晶体管的方法，其中，所述处理沟槽的方法包括对沟槽进行软刻蚀。本发明通过对沟槽进行软刻蚀，改善了沟槽侧壁和底部介质层的均匀性，工艺复杂性没有明显增加，生产成本及产能没有明显变化。...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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