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本发明涉及一种减小光刻胶图案特征尺寸的方法，包括以下步骤：步骤一，提供具有衬底层的晶圆，在衬底层上形成光刻胶图案；步骤二，采用第一气体，对第一气体施加微波流生成等离子体，顺流刻蚀晶圆，减小光刻胶图案的特征尺寸。本发明具有如下优点：采用微波流...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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