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本发明公开了一种阻挡层的形成方法，所述阻挡层形成在连接孔内或者同时形成在沟槽和连接孔内，包括：依次淀积氮化钽ＴａＮ层和钽Ｔａ层，形成由ＴａＮ层和Ｔａ层构成的叠层阻挡层，所述叠层阻挡层的厚度在１０～５０埃；对连接孔的底部进行物理轰击ｒｅ－ｓｐ...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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