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本发明公开了一种沟槽功率ＭＯＳＦＥＴ器件制造方法，包括：首先形成带有硬掩模的沟槽；在沟槽侧壁及底部制作介质层；利用各向异性刻蚀方法去除所述沟槽底部介质层，保留所述沟槽侧壁介质层；利用离子注入在所述沟槽底部进行硅离子注入；去除所述沟槽侧壁介质...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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