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本发明公开了一种高压ＤＭＯＳ器件。包括：一漂移区、一漏区、一沟道区、一源区、一栅氧化层、一场氧化层、一栅极以及一埋层。所述漂移区位于沟道区和漏区之间，所述源区形成于沟道区上，所述埋层埋于所述漂移区内并和所述沟道区相连接。所述埋层和所述沟道区...
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