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本发明公开了一种背接触太阳能电池的制造方法，首先在Ｎ型硅基片的背面生长Ｐ型掺杂二氧化硅层；然后在Ｐ型掺杂层上生长不掺杂的二氧化硅层；之后在不掺杂的二氧化硅层上印刷腐蚀剂或抗腐蚀剂，将Ｐ型掺杂二氧化硅层和不掺杂的二氧化硅层腐蚀形成需要的图形；...该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。