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本发明披露了由升级的冶金级硅形成太阳能电池器件，其已接受至少一种缺陷设计工艺，并包括低接触电阻电路径。抗反射涂层形成于发射极层上而背接触形成于本体硅衬底的背面上。该光伏器件可以在可避免先前缺陷设计工艺逆转的足够低的温度下烧制形成背面电场。该...
该专利属于卡里太阳能公司所有，仅供学习研究参考，未经过卡里太阳能公司授权不得商用。

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