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本发明涉及制造双取向ＩＶ族半导体衬底的方法，包括在ＤＳＢ之类的衬底中仅在表面层第一横向区域中进行遮蔽非晶化，以及仅在第一横向区域中进行表面层的固相外延再生长，以便建立其（１００）取向。接着，在表面层上制造覆盖层，随后制造隔离区，其将（１１０...该专利属于ＮＸＰ股份有限公司;ＳＴ微电子简化股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过ＮＸＰ股份有限公司;ＳＴ微电子简化股份公司授权不得商用。