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本发明提供一种非易失性随机存取存储器，其能够在标准的ＣＭＯＳ工艺工序内安装在基板上。存储器单元（１）具备第一ＭＩＳ晶体管（２）和第二ＭＩＳ晶体管（３），其中，第一ＭＩＳ晶体管（２）具有：电浮置状态的第一导电型的第一半导体层（６）；在所述第一...
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