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本发明公开了一种制备非晶碳化硅薄膜的方法，该方法采用电子束蒸发的方法，利用碳化硅作为电子束蒸发源，在衬底上沉积形成非晶碳化硅薄膜层。利用本发明提供的方法能够制备出性能良好的非晶碳化硅薄膜，主要应用于微电子器件领域，具有实用、高效、成本低等优...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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