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太阳能级CZ硅单晶控制热施主工艺制造技术
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文档序号:4890248
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一种太阳能级CZ单晶硅热施主的控制工艺,本工艺解决的技术问题是控制CZ硅单晶头部的热施主浓度,较少或杜绝需退火处理的硅片。工艺主要步骤一、装料、化料、吊渣、掺杂或预掺;二、挥发;三、引晶、放肩、转肩、等径、收尾;四、收尾,提断,升晶体,降温...
该专利属于王正园所有,仅供学习研究参考,未经过王正园授权不得商用。
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