下载用于MOSFET栅极电极接合衬垫的结构和方法的技术资料

文档序号:4889794

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一种晶体管器件及其形成方法,所述晶体管器件包括:衬底;在所述衬底之上的第一栅极电极;在所述衬底之上的第二栅极电极;以及接合衬垫,其包括一对凸缘端部覆盖所述第二栅极电极,其中所述第二栅极电极的结构与所述接合衬垫的结构是不连续的。...
该专利属于国际商业机器公司所有,仅供学习研究参考,未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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