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本发明公开了一种保护套刻标记图形的方法，所述套刻标记图形已形成于硅片上，所述方法应用于对硅片进行多次光刻，每次光刻后紧跟着进行离子注入的情况，所述多次光刻共用所述套刻标记图形；所述方法为：每次光刻时，形成一部分光刻图形覆盖在套刻标记图形的至...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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