温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极结构；在栅极结构两侧形成伪侧壁隔离物；对所述栅极结构及所述伪侧壁隔离物两侧的半导体衬底重掺杂，形成源／漏极重掺杂区；去除所述伪侧壁隔离物；对所述栅极结构...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。